アイ'エムセップは世界で唯一、溶融塩電気化学を専門とする研究開発型ベンチャーです

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保有特許一覧

(2018年9月末現在)

国内

1.溶融塩中での金属窒化物薄膜形成法(特許第4471728号)
2.希土類合金の製造方法(特許第4649591号)
3.プラズマ誘起電解による微粒子の製造方法(特許第4688796号)
4.溶融塩めっき用電解浴及び該電解浴を用いた溶融塩めっき方法(特許第4711724号)
5.金属塩の付着した固体材料の洗浄方法(特許第4726529号)
6.溶融塩中の微粒子の回収方法(特許第4749025号)
7.プラズマ誘起電解による微粒子の製造方法およびその装置(特許第4755567号)
8.炭素質皮膜及びその製造方法(特許第4756132号)
9.熱起動型溶融塩キャパシタ(特許第4884326号)
10.溶融塩反応浴を利用した合金粉末製造法(特許第5065948号)
11.炭素膜の製造方法(特許第5112010号)
12.窒化炭素の製造方法(特許第5112011号)
13.アンモニア電解合成装置(特許第5127385号)
14.溶融塩電気化学プロセスを用いた表面窒化処理方法(特許第5148209号)
15.金属回収装置及び方法(特許第5153403号)
16.窒素還元方法(特許第5470312号)
17.アンモニア電解合成とアンモニア電解合成装置(特許第5470332号)
18.金属回収装置(特許第5477827号)
19.積層構造体(特許第5492783号)
20.溶融塩電気化学プロセスを用いた材料表面のリン化処理法(特許第5513803号)
21.二酸化炭素中の炭素の固定方法(特許第5557434号)
22.多結晶シリコンの製造方法及び多結晶シリコンの製造方法に用いられる還元・電解炉(特許第5829843)
23.ホウ素含有薄膜形成方法(特許第5847782号)
24.電解窒素固定法(特許第5904760号)
25.積層構造体(特許第5923478号)
26.フッ化処理による表面改質方法(特許第6091150号)
27.窒化物結晶の製造方法と窒化物結晶製造装置(特許第6110906号)
28.液体輸送装置(特許第6227540号)
29.アンモニア電解合成装置(特許第6345005)

海外

1.窒化炭素の製造方法(US 8,545,688)
2.炭素膜の製造方法(US8 ,951,401)
3.ホウ素含有薄膜形成方法及び積層構造体(中国ZL200980142329.9)
4.金属微粒子の製造方法(US9,562,296)
5.液体輸送装置(US9,904,300)